元(yuan)器件封(feng)裝貼片化和SMT工藝(yi)的全面應(ying)用(yong)是小型化的推手。隨著電子制造技術的不斷發展，傳統直插式封裝（To）器(qi)件(jian)逐步被(bei)體積更小(xiao)、性能更優的貼片式封(feng)(feng)裝所替代，大量(liang)使用直插(cha)封(feng)(feng)裝器(qi)件(jian)的充電(dian)器(qi)同樣淡出(chu)主流配件(jian)市(shi)場(chang)。在幾年前，我們看到的充電(dian)器(qi)內部可能是這樣的：大量(liang)的直插(cha)式分(fen)立元器(qi)件(jian)、PCB布局松散、功率器件由于熱性能不佳甚至還需加(jia)上散熱片輔助散熱，這些都直接造(zao)成了傳統充電頭的龐大(da)體積。

而現在GaN充電器(qi)的底層PCB，除EMI器件、大(da)容量(liang)電解電容和變壓器，其余(yu)器件全為貼(tie)片封裝，PCB布局也更加緊(jin)湊。元器件封裝形式的變(bian)化，直(zhi)接推動了開關電(dian)源的小型化。

IC高密度集成也推(tui)動(dong)了(le)電(dian)源適配(pei)器的小型化(hua)。常見的PWM開關電源由EMI、整流濾波(bo)、PWM控制、MOSFET開關、變(bian)壓器(qi)、同步(bu)整流、反饋和(he)輸(shu)出濾波組成。以(yi)往各部分功能(neng)由(you)獨立器(qi)件或IC完成，在IC高度(du)集成的(de)推動下(xia)，多功能(neng)模塊的(de)整(zheng)合使得原(yuan)來由多個(ge)器件和(he)IC實現的功能，如今在一片IC就(jiu)可完成(cheng)。

最(zui)具代表的(de)就是PI（Power Integrations）的InnoSwitch?系列，在一個表面貼裝(zhuang)封裝(zhuang)內集成了初級電路(lu)(lu)、次(ci)級電路(lu)(lu)和反饋(kui)電路(lu)(lu)，尤其是內置(zhi)氮化鎵的InnoSwitch3，可(ke)提供更大(da)功率、更高的效率以及(ji)更具可(ke)靠性，并且在(zai)密閉適(shi)配器(qi)內不(bu)使(shi)用散熱(re)片(pian)的情(qing)況下可(ke)提供100W的功率輸出。IC的高(gao)度集(ji)成，自然(ran)帶來周(zhou)邊器件的減少，充電器體(ti)積也(ye)可同步(bu)縮減。