在(zai)2月13日，小(xiao)米(mi)公司CEO雷軍在(zai)介紹完小(xiao)米(mi)10之后，頓(dun)了(le)頓(dun)，宣布了(le)一個(ge)新的電(dian)源適配器。這(zhe)個(ge)電(dian)源適配器支(zhi)持小(xiao)米(mi)65W快充，但比標配充電(dian)頭小(xiao)了(le)一倍，并且發熱更低。這(zhe)，就(jiu)是氮化(hua)鎵(jia)（GaN）電源適配器。

眾所周(zhou)知，隨著(zhu)手機(ji)屏幕的(de)增(zeng)大和(he)處理器性(xing)能的(de)增(zeng)加，對手機(ji)本身的(de)電(dian)(dian)量儲備和(he)充電(dian)(dian)時間(jian)也提出了高要求。如何“又(you)(you)快(kuai)又(you)(you)好(hao)”成為(wei)了手機(ji)續航的(de)重要問題。對于(yu)普通(tong)的(de)充電(dian)(dian)器而言(yan)，用上百kHz的(de)開(kai)關頻率切換FET的(de)開(kai)關狀態就已經足夠。而且開(kai)關頻率越高，體積就會越小(xiao)。

但問(wen)題(ti)在于(yu)，盲目提高(gao)開(kai)關頻率，很容易導致電(dian)源(yuan)變熱(re)，發生危(wei)險。而(er)人們(men)為了(le)解決這個問(wen)題(ti)，采取(qu)了(le)很多辦(ban)法：增加漏感能量的(de)(de)電(dian)容、實現(xian)零(ling)電(dian)壓開(kai)啟FET（ZVS技術）。而(er)氮化(hua)(hua)鎵，就是在這個時(shi)候出場。傳(chuan)統的(de)(de)FET都是基(ji)于(yu)硅(gui)制造的(de)(de)，但相比硅(gui)材料，氮化(hua)(hua)鎵（GaN）是一種極穩定的(de)(de)化(hua)(hua)合物，它的(de)(de)堅硬性好，熔點(dian)高(gao)，電(dian)離度高(gao)。

而如果(guo)我們能用氮(dan)化(hua)鎵(jia)材質的FET去取代硅(gui)材料，那么氮(dan)化(hua)鎵(jia)電離性好、熔點高的優(you)勢，可以讓開(kai)關頻率變(bian)得更高，將(jiang)體(ti)積(ji)(ji)縮小一(yi)半左右，這樣(yang)電源(yuan)適配器的體(ti)積(ji)(ji)也就大大的縮小了。