mos管(guan)是金(jin)屬(metal)—氧化(hua)物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶(jing)體管(guan)，或者稱是金(jin)屬—絕(jue)緣體(insulator)—半導體。MOS管(guan)的(de)(de)source和drain是可以對(dui)調(diao)的(de)(de)，他們都是在P型(xing)backgate中形(xing)成(cheng)的(de)(de)N型(xing)區。在多數情況下，這個(ge)兩(liang)個(ge)區是一樣的(de)(de)，即使兩(liang)端對(dui)調(diao)也不會影響器件的(de)(de)性能。這樣的(de)(de)器件被認(ren)為是對(dui)稱的(de)(de)

　　　開(kai)關三極管(guan)（Switch transistor）的外形與普通(tong)(tong)三極管(guan)外形相同，它工作(zuo)于截止區(qu)和飽和區(qu)，相當(dang)于電路(lu)的切斷(duan)和導通(tong)(tong)。由(you)于它具(ju)有(you)完成(cheng)斷(duan)路(lu)和接通(tong)(tong)的作(zuo)用，被廣泛應用于各(ge)種(zhong)開(kai)關電路(lu)中，如常用的開(kai)關電源電路(lu)、驅動電路(lu)、高(gao)頻振蕩電路(lu)、模數轉換(huan)電路(lu)、脈沖電路(lu)及輸出電路(lu)等

　在開(kai)關電源的(de)開(kai)關管(guan)中常用的(de)是(shi)MOS管(guan)，那是(shi)因為

　　1、MOS管比三(san)極管來說(shuo)損(sun)耗更低(di)，

　　2、MOS管為電壓驅動型，有電壓就能(neng)夠導通

　　3、MOS管的溫度控制特性（導熱、發(fa)熱）比三極(ji)管好(hao)

　　4、MOS管(guan)驅需要的(de)動率小一(yi)個驅動信號(hao)可以控制大電源電流，方(fang)便。三(san)極管(guan)需要需要幾級(ji)推動電路(lu)，將控制電流逐步加(jia)大，也(ye)就是(shi)多(duo)級(ji)放大，常(chang)見的(de)方(fang)式是(shi)達(da)林頓電路(lu)，這樣在設(she)計電路(lu)時就很繁瑣了，調試也(ye)費(fei)勁。

　　5、MOS管是電壓(ya)(ya)控制(zhi)器件，柵極電流極小，MOS管飽(bao)和(he)導通時產生的壓(ya)(ya)降(jiang)低，耗散功率小，效率也(ye)更高

　　6、MOS管(guan)開關靜態時漏電小(xiao)，功耗小(xiao)

　　7、MOS管(guan)缺點：開(kai)關速度(du)慢

　以上內容為開(kai)(kai)關電源開(kai)(kai)關管(guan)MOS特(te)性針對(dui)三極管(guan)來(lai)對(dui)比的，在眾(zhong)多開(kai)(kai)關電源開(kai)(kai)關管(guan)應用(yong)中，由于(yu)MOS特(te)點比較好，所(suo)以普遍被應用(yong)